全新氮化镓芯片问世：33W快充专用 体积仅5W大小

英诺赛科发布33W氮化镓快充

在刚刚结束的“2021（春季）USB PD&Type-C亚洲展”上，英诺赛科副总经理陈钰林先生为大家带来了《Inno GaN 引领“芯”未来》主题演讲，并发布了英诺赛科的2021年度重点产品：33W氮化镓快充。

据陈钰林先生分析，苹果公司目前已经在布局氮化镓快充，而30W则极有可能成为苹果首款氮化镓产品。为了迎接苹果30W氮化镓快充带来的下一个市场风口，英诺赛科专门推出了InnoGaN系列第二代新品INN650DA04，并基于该新品开发出一款尺寸仅苹果5W充电器大小的33W超迷你氮化镓快充参考设计。

外型小巧是该方案的一大特色，其内部电路设计更是十分精简，通过图片可见，该方案仅仅只用两块PCB板就实现了全部功能，让人眼前一亮。并且完全实现了核心技术的自主可控，供货稳定。

值得一提的是，这款参考设计不仅满足最大33W快充输出，而且在温升和EMI等方面也已符合安规要求，解决了快充电源厂商在产品开发过程中的两大难点，可以帮助客户加速产品量产，抢占市场。

33W快充专用InnoGaN快速上量

虽然距离苹果2021年新品发布会还有半年之久，但其即将推出30W氮化镓快充的消息已经不胫而走，尤其是近期在业界广为流传，多家快充芯片、快充变压器、快充电源厂商及方案商纷纷表示，正在积极地着手布局30W快充产品线。30W氮化镓快充更是有望在苹果的带动下，成为20W快充市场的继承者，前景可观。

不过由于功率的提升，传统的内置MOS电源芯片方案大都无法满足应用需求，分立器件方案成为首选。但如果选用传统的硅MOS作为主开关管需要面临着两大难题，一是效率较低发热较大，无法实现紧凑的设计；二是自2020年下半年以来，受到缺货风波的持续影响，功率半导体的价格以及供货也变得十分不稳定。

作为一家全球领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科自建有技术领先8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线，涵盖30V到650V全电压产品；其苏州FaB基地也将于今年6月通线投产，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。

英诺赛科第二代InnoGaN产品INN650DA04的推出，将在一定程度上缓解了快充产业链紧张的供求关系。此外充电头网还了解到，英诺赛科对该新品采取了战略性定价，十分具有市场竞争力。

英诺赛科向充电头网透露，INN650DA04一经推出便获得众多电源厂商青睐，目前累计订单已经突破2kk，并不断有新客户陆续下单。苹果30W氮化镓快充一旦面世，预计该款氮化镓器件的每月订单量将直奔5kk，成为2021年下半年功率器件领域的现象级爆款。

InnoGaN优势分析

充电头网了解到，英诺赛科InnoGaN系列第二代新品INN650DA04具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6进行封装，有助于电源工程师实现产品的高效率和小体积。

效率方面，英诺赛科33W氮化镓快充方案无论是在90ac、115Vac输入还是230Vac、264Vac输入，其效率均在92%以上，相比目前市面上主流的20W硅方案，效率提升3个百分点。高效率带来的低发热，为实现小体积、高功率密度产品设计保驾护航。

得益于InnoGaN的高效率特性，实际应用中可以省掉散热片，从而实现小尺寸的紧凑型氮化镓快充方案。目前英诺赛科33W氮化镓快充方案在体积方面已有了巨大突破，PCB尺寸仅为26mm*26mm*26mm，功率密度可达1.88W/cm³，相当于苹果现有20W硅MOS快充方案的2倍以上。

总结

最近行业中流传着这样一句话：上半年看20W，下半年看30W。

看似简单的几个字却透露出快充电源行业的市场趋势。不过相比20W快充而言，30W快充在小型化、温度、安规等方面的挑战更大，也对快充电源工程师提出了更高的要求。

针对这一行业痛点，英诺赛科开始发力，凭借全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力，InnoGaN系列在整体性能、成本、产能等方面均得到很好的把控。

英诺赛科InnoGaN不仅在实现高效率和小尺寸方面明显优于传统硅MOS方案，而且在价格方面也具有极大优势，并有供货稳定的特点。搭配简洁的设计和布局，轻松实现33W迷你氮化镓快充产品的开发，并大幅降低了系统成本与生产成本，可谓是性价比超高。

如果说20W快充是内置MOS电源芯片的主场，那么未来的30W氮化镓快充市场必将成为InnoGaN大显身手的舞台，值得期待！